Ihre Aufgaben

Entwicklung von Halbleiterlasern auf der Grundlage von GaAs
Planung und Leitung von bereichs- und standortübergreifenden Entwicklungsprojekten mit hoher Komplexität
Device Simulation und Weiterentwicklung von Simulationsmethoden für Halbleiterschichtstrukturen
Abschätzung von Entwicklungskosten und -dauer sowie Beschreibung von Arbeitspaketen
Verifikation und Validierung der Entwicklungsergebnisse
Erstellung von Dokumentation
Technischer Austausch mit internen und externen Partnern insbesondere Kunden, Zulieferern und Kooperationspartnern
Steuerung der Zusammenarbeit mit internen und externen Partnern, Instituten sowie Kunden
Teilnahme an wissenschaftlichen Konferenzen, Präsentationen und Veröffentlichungen

Ihr Profil

Abgeschlossenes Studium (mind. Master/Diplom) in Physik, Laser- und Optotechnologien, Lasertechnik, Elektrotechnik, Halbleitertechnologie, Werkstoffwissenschaften, Nanotechnologie oder einem vergleichbaren Fachgebiet
Langjährige Berufserfahrung als Halbleiterlaser-Entwickler, Device Engineer, Entwicklungsingenieur oder Senior R&D Engineer im Bereich III-V-Halbleitertechnik mit Fokus auf Laserdesign und Simulation
Nachweisbare Projektleitungserfahrung und Kenntnisse in der nachhaltigen Integration von Projektergebnissen
Analytisches und lösungsorientiertes Denken
Eine zielorientierte und selbstständige Arbeitsweise
Deutsch- und Englischkenntnisse auf C1-Niveau

Ihre Ansprechpartner/in:

Name: Tillmann Kugel

Das bieten wir: